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近日,英特爾宣布已開始采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)(HVM)Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實(shí)現(xiàn),再次證明了英特爾正以強(qiáng)大的執(zhí)行力推進(jìn)“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,并將其應(yīng)用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品,滿足AI推動(dòng)下“芯經(jīng)濟(jì)”指數(shù)級(jí)增長的算力需求。
作為英特爾首個(gè)采用極紫外光刻技術(shù)生產(chǎn)的制程節(jié)點(diǎn),Intel 4與先前的節(jié)點(diǎn)相比,在性能、能效和晶體管密度方面均實(shí)現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動(dòng)著算力需求最高的應(yīng)用,如AI、先進(jìn)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)、自動(dòng)駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用。此外,對(duì)于英特爾順利實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,及在2025年重獲制程領(lǐng)先性而言,極紫外光刻技術(shù)也起著關(guān)鍵作用。
英特爾公司首席執(zhí)行官帕特·基辛格表示:“我為英特爾團(tuán)隊(duì)以及客戶、供應(yīng)商和合作伙伴感到驕傲,我們一起將Intel 4制程節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)變?yōu)楝F(xiàn)實(shí),在重獲制程領(lǐng)先性的道路上穩(wěn)步前進(jìn)。”
英特爾“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃正在順利推進(jìn)中。目前,Intel 7和Intel 4已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn);Intel 3正在按計(jì)劃推進(jìn),目標(biāo)是2023年底;采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)的Intel 20A和Intel 18A同樣進(jìn)展順利,目標(biāo)是2024年。英特爾將于不久后推出面向英特爾代工服務(wù)(IFS)客戶的Intel 18A制程設(shè)計(jì)套件(PDK)。
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