三星守住底線 最新一代236層閃存依舊是TLC顆粒

三星今天(11月7日)宣布開始量產(chǎn)第8代V-NAND閃存芯片，堆到了236層。

上一代V-NAND其實(shí)只有176層，已經(jīng)用在了旗艦SSD固態(tài)盤990 PRO上。

關(guān)于第八代V-NAND，有兩點(diǎn)值得一說，一是三星介紹單芯片現(xiàn)在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒(3 bits/cell)。

其實(shí)，部分廠商在進(jìn)入到150+層的階段后，開始大肆制造更具成本效益的QLC顆粒，好在這次堅(jiān)守住了底線。

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