三星成功實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電彎道超車 官宣3nm半導(dǎo)體芯片已量產(chǎn)

今天，三星電子在官網(wǎng)宣布，公司位于韓國(guó)的華城工廠已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3nm制程半導(dǎo)體芯片，是全球首家量產(chǎn)3nm芯片的公司。

這意味著，在新一代芯片工藝的節(jié)點(diǎn)上，三星成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)臺(tái)積電的彎道超車，搶先拿下了3nm芯片市場(chǎng)。

根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

與5nm相比，新開(kāi)發(fā)的3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能。

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