ASML今年發(fā)貨第一臺(tái)高NA EUV光刻機(jī)：成本逼近30億元！

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EUV光刻技術(shù)的推進(jìn)相當(dāng)困難，光刻機(jī)龍頭ASML也是舉步維艱，一點(diǎn)點(diǎn)改進(jìn)。

快科技9月7日消息，ASML宣布，將在今年底發(fā)貨第一臺(tái)支持高NA(數(shù)值孔徑)的EUV極紫外光刻機(jī)，型號(hào)“Twinscan EXE:5000”。

NA數(shù)值孔徑是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo)，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率，以及最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。

ASML現(xiàn)有最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)是NEX:3400C、NEX:3400D，NA只有0.33，對(duì)應(yīng)的分辨率為13nm，可以生產(chǎn)金屬間距在38-33nm之間的芯片。

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